A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

総合得点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

総合得点

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

相違点仕様コメント

相違点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

4 15.6

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

2,061.2 12.1

テスト平均値

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 46

周辺 -92% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 6400

周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

46 24
読み出し速度、GB/s

4,937.3 15.6
書き込み速度、GB/秒

2,061.2 12.1
メモリ帯域幅、mbps

6400 19200

Other

商品説明

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

759 2852

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB

DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB

Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

NSITEXE Inc Visenta 16GB

NSITEXE Inc Visenta 16GB

Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB

Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB

King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB