RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2852
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link