RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

総合得点
star star star star star
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

総合得点
star star star star star
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB 考慮すべき理由
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 75
    周辺 65% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 7.1
    テスト平均値
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB 考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 12.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 75
  • 読み出し速度、GB/s
    12.6 left arrow 14.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 7.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2174 left arrow 1763

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAMの比較

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
INTENSO 5641162 8GB
INTENSO 5641162 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
メモリRAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
メモリRAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
メモリRAM