RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
75
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
75
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1763
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link