RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
比較する
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
総合得点
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
バグを報告する
考慮すべき理由
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
39
42
周辺 -8% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.1
13.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.1
9.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
39
読み出し速度、GB/s
13.2
15.1
書き込み速度、GB/秒
9.4
10.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2326
2478
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAMの比較
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link