RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
42
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2478
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link