RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

Kingston K531R8-MIN 4GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

総合得点
star star star star star
Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston K531R8-MIN 4GB 考慮すべき理由
Kingston K531R8-MIN 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 54
    周辺 48% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 10.9
    テスト平均値
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB 考慮すべき理由
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 54
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 10.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2445 left arrow 2176

Kingston K531R8-MIN 4GB RAMの比較

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
メモリRAM