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Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Kingston K531R8-MIN 4GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

総合得点
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Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

総合得点
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Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston K531R8-MIN 4GB 考慮すべき理由
Kingston K531R8-MIN 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 32
    周辺 13% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 5.2
    テスト平均値
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB 考慮すべき理由
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 12800
    周辺 1.16 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston K531R8-MIN 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 8.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 5.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 14900
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2445 left arrow 1409

Kingston K531R8-MIN 4GB RAMの比較

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