RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB

SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 16.4
    テスト平均値
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    56 left arrow 92
    周辺 -64% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 1,266.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 6400
    周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    92 left arrow 56
  • 読み出し速度、GB/s
    2,105.4 left arrow 16.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,266.1 left arrow 13.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    339 left arrow 2761

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB

SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB RAMの比較

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
メモリRAM
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Team Group Inc. 16GB
Team Group Inc. 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
メモリRAM