RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

総合得点
star star star star star
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 16.2
    テスト平均値
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB 考慮すべき理由
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    67 left arrow 92
    周辺 -37% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.3 left arrow 1,266.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    92 left arrow 67
  • 読み出し速度、GB/s
    2,105.4 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,266.1 left arrow 8.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    339 left arrow 1798

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB

V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB RAMの比較

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
メモリRAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
メモリRAM