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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
総合得点
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
総合得点
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
34
周辺 21% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.4
12.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.5
8.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
21300
周辺 1.2% 高帯域
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
34
読み出し速度、GB/s
17.4
12.7
書き込み速度、GB/秒
14.5
8.9
メモリ帯域幅、mbps
25600
21300
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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