RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

総合得点
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
star star star star star
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB 考慮すべき理由
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 27
    周辺 -17% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 17.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 2938

PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB RAMの比較

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
メモリRAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
メモリRAM
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
メモリRAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
メモリRAM