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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
33
周辺 24% 低遅延
考慮すべき理由
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
16.5
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.4
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
33
読み出し速度、GB/s
16.1
16.5
書き込み速度、GB/秒
10.1
13.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3160
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
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