RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3160
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link