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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
30
周辺 17% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
11.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.1
6.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
30
読み出し速度、GB/s
16.1
11.7
書き込み速度、GB/秒
10.1
6.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
1832
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
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Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
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