RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1832
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link