RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
1832
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link