RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB 考慮すべき理由
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.9 left arrow 13.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.6 left arrow 6.9
    テスト平均値
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 43
    周辺 -54% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    14.9 left arrow 13.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.6 left arrow 6.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2506 left arrow 2312

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB RAMの比較

A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
メモリRAM
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
メモリRAM