RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB

A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 17.5
    テスト平均値
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 59
    周辺 -51% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 2,123.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 6400
    周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    4,833.8 left arrow 17.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,123.3 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    731 left arrow 2852

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
メモリRAM