RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB

Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 14.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,123.3 left arrow 11.1
    テスト平均値
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB 考慮すべき理由
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 59
    周辺 -136% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    4,833.8 left arrow 14.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,123.3 left arrow 11.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    731 left arrow 2789

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB RAMの比較

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
メモリRAM
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
メモリRAM