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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

総合得点
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

総合得点
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 17.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,123.3 left arrow 14.5
    テスト平均値
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB 考慮すべき理由
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 59
    周辺 -119% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 6400
    周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    4,833.8 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,123.3 left arrow 14.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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