RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB

Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 18.4
    テスト平均値
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 52
    周辺 -93% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 1,906.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    4,672.4 left arrow 18.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,906.4 left arrow 16.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    698 left arrow 3933

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB

Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
メモリRAM
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
メモリRAM
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
メモリRAM