RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.3
    テスト平均値
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 52
    周辺 -58% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 1,906.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    4,672.4 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,906.4 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    698 left arrow 3219

Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB

G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB RAMの比較

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
メモリRAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
メモリRAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
メモリRAM