RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

総合得点
star star star star star
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.6 left arrow 12.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
    周辺 1.33% 高帯域
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB 考慮すべき理由
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 33
    周辺 -22% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    17.6 left arrow 12.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2910 left arrow 2148

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
メモリRAM