Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

総合得点

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

総合得点

Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

考慮すべき理由
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

12.8 11.7

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

7.4 6.6

テスト平均値

Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

考慮すべき理由
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

30 39

周辺 -30% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps

19200 10600

周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

39 30
読み出し速度、GB/s

12.8 11.7
書き込み速度、GB/秒

7.4 6.6
メモリ帯域幅、mbps

10600 19200

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1770 1832

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

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V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB

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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

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Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

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Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

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Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

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Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB

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Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB

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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

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G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB

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