RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
39
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1770
1832
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link