RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 52
    周辺 48% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 10
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 7.6
    テスト平均値
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB 考慮すべき理由
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 52
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 10.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 7.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2275 left arrow 2169

Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB RAMの比較

Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB

Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
メモリRAM
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
メモリRAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
メモリRAM
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
メモリRAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
メモリRAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
メモリRAM