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Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

総合得点
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Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB

Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 42
    周辺 -45% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 11.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 9.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 14200
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    11.5 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    14200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2432 left arrow 3273

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