Comparação RAM Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Pontuação geral

Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB

Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

29 42

Por volta de -45% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

16.7 11.5

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.9 9.5

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

21300 14200

Por volta de 1.5 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2432 3273

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns