RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

総合得点
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
バグを報告する
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 63
    周辺 -174% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.0 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    8.1 left arrow 17.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 13.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1945 left arrow 3004

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB RAMの比較

Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
メモリRAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
メモリRAM
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
メモリRAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
メモリRAM