Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Средняя оценка

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Сообщить об ошибке

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 63

Около -174% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.2 8.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.0 7.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

63 23
Скорость чтения, Гб/сек

8.1 17.2
Скорость записи, Гб/сек

7.5 13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1945 3004

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB

Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB

модули RAM

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB

модули RAM