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Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB vs Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

総合得点
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Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB

総合得点
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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    67 left arrow 68
    周辺 1% 低遅延
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    1,702.6 left arrow 1,122.9
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    67 left arrow 68
  • 読み出し速度、GB/s
    2,058.7 left arrow 3,886.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,122.9 left arrow 1,702.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 5300
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    317 left arrow 654

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