RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

総合得点
star star star star star
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB

Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 14.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
    周辺 1.51% 高帯域
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB 考慮すべき理由
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 46
    周辺 -70% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    16.0 left arrow 14.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.4 left arrow 9.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2660 left arrow 2330

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
メモリRAM