Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Inmos + 256MB

総合得点

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

総合得点

Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

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Inmos + 256MB

考慮すべき理由
Inmos + 256MB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

30 48

周辺 -60% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

11.5 8.9

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

9.1 5.9

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

16800 10600

周辺 1.58 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Inmos + 256MB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

48 30
読み出し速度、GB/s

8.9 11.5
書き込み速度、GB/秒

5.9 9.1
メモリ帯域幅、mbps

10600 16800

Other

商品説明

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1333 MHz no data
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1420 2318

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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