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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Inmos + 256MB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Inmos + 256MB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Inmos + 256MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
48
Por volta de -60% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.5
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
16800
10600
Por volta de 1.58 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
30
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
9.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
16800
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
2318
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Inmos + 256MB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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