Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston 9905625-098.A00G 16GB

総合得点

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

総合得点

Kingston 9905625-098.A00G 16GB

Kingston 9905625-098.A00G 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

考慮すべき理由
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

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Kingston 9905625-098.A00G 16GB

考慮すべき理由
Kingston 9905625-098.A00G 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

27 40

周辺 -48% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

15.3 12.3

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

9.8 8.9

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 12800

周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Kingston 9905625-098.A00G 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

40 27
読み出し速度、GB/s

12.3 15.3
書き込み速度、GB/秒

8.9 9.8
メモリ帯域幅、mbps

12800 17000

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1789 2591

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB

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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

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Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB

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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

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Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB

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Kingston KTP9W1-MIE 16GB

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Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB

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Kingston KHYXPX-MIE 8GB

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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

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