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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

総合得点
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

総合得点
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SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 10.9
    テスト平均値
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 40
    周辺 -33% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.0 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    40 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 10.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.9 left arrow 10.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1789 left arrow 2587

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAMの比較

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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
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Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
メモリRAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
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