RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Kingston 9905624-007.A00G 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
Kingston 9905624-007.A00G 8GB

Kingston 9905624-007.A00G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.8 left arrow 6.7
    テスト平均値
Kingston 9905624-007.A00G 8GB 考慮すべき理由
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 30
    周辺 -25% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 8500
    周辺 2.26 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 13.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.8 left arrow 6.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1479 left arrow 2168

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Kingston 9905624-007.A00G 8GB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
メモリRAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
メモリRAM