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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

総合得点
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 71
    周辺 58% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 6.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.8 left arrow 4.8
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 8500
    周辺 1.25 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 71
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 6.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.8 left arrow 4.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1479 left arrow 1092

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