RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 81
    周辺 63% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.8 left arrow 6.5
    テスト平均値
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.7 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 8500
    周辺 2.26 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    30 left arrow 81
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 12.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.8 left arrow 6.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1479 left arrow 1460

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB RAMの比較

Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
メモリRAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
メモリRAM