SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

総合得点

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

相違点仕様コメント

相違点

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

14.2 7.9

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.6 4.4

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 10600

周辺 2.01% 高帯域

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

28 46

周辺 -64% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

46 28
読み出し速度、GB/s

14.2 7.9
書き込み速度、GB/秒

13.6 4.4
メモリ帯域幅、mbps

21300 10600

Other

商品説明

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
タイミング / クロック速度

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2717 1291

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CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

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RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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