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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
比較する
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
総合得点
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.2
7.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.6
4.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01% 高帯域
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
46
周辺 -64% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
28
読み出し速度、GB/s
14.2
7.9
書き込み速度、GB/秒
13.6
4.4
メモリ帯域幅、mbps
21300
10600
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
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