RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
7.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
4.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR3
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
7.9
Скорость записи, Гб/сек
13.6
4.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
10600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
1291
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link