RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
バグを報告する
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 38
    周辺 -73% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.1 left arrow 6.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 16.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.6 left arrow 10.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1406 left arrow 2706

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAMの比較

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
メモリRAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
メモリRAM