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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

総合得点
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

総合得点
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 38
    周辺 -41% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 10.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.8 left arrow 6.6
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 12.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.6 left arrow 7.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1406 left arrow 1763

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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
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メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
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