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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
OCZ OCZ3BE1600C8LV2G 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs OCZ OCZ3BE1600C8LV2G 2GB

総合得点
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB

総合得点
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OCZ OCZ3BE1600C8LV2G 2GB

OCZ OCZ3BE1600C8LV2G 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 63
    周辺 40% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.9 left arrow 6.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.6 left arrow 4.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 8500
    周辺 1.51% 高帯域
OCZ OCZ3BE1600C8LV2G 2GB 考慮すべき理由
OCZ OCZ3BE1600C8LV2G 2GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
OCZ OCZ3BE1600C8LV2G 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 63
  • 読み出し速度、GB/s
    10.9 left arrow 6.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.6 left arrow 4.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 8500
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1406 left arrow 1248

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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
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Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
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メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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