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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

総合得点
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

総合得点
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InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18 left arrow 14.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.1 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    14.8 left arrow 18.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 15.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2650 left arrow 3711

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Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
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Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
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メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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メモリRAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
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メモリRAM
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Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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