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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston KMKYF9-MID 8GB

総合得点
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

総合得点
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Kingston KMKYF9-MID 8GB

Kingston KMKYF9-MID 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB 考慮すべき理由
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15
    テスト平均値
Kingston KMKYF9-MID 8GB 考慮すべき理由
Kingston KMKYF9-MID 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 63
    周辺 -80% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.2 left arrow 1,447.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    63 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    3,231.0 left arrow 15.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,447.3 left arrow 11.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    478 left arrow 2627

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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
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Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
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メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
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Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
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