RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Porównaj
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston KMKYF9-MID 8GB
Wynik ogólny
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wynik ogólny
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
63
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,447.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,231.0
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,447.3
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
478
2627
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link