RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

総合得点
star star star star star
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB 考慮すべき理由
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.4
    テスト平均値
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    34 left arrow 50
    周辺 -47% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.5 left arrow 1,457.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    50 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    3,757.3 left arrow 15.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,457.4 left arrow 11.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    557 left arrow 2763

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAMの比較

Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB RAMの比較

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
メモリRAM