RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
50
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2763
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link