RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
94
Wokół strony -292% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
24
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
4064
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link